MVMBF0201NLT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVMBF0201NLT1G

MVMBF0201NLT1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MVMBF0201NLT1G
LIXINC Part #	MVMBF0201NLT1G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MVMBF0201NLT1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 02 - Jun 06 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MVMBF0201NLT1G Tekniset tiedot

Osa numero:	MVMBF0201NLT1G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	300mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	45 pF @ 5 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	225mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-23-3
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3