BSS138NH6327XTSA2 | IR (Infineon Technologies) BSS138NH6327XTSA2 | BSS138NH6327XTSA2 Inventory, Best Pricing

BSS138NH6327XTSA2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSS138NH6327XTSA2
LIXINC Part #	BSS138NH6327XTSA2
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSS138NH6327XTSA2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 15 - Jun 19 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSS138NH6327XTSA2 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSS138NH6327XTSA2
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	230mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.5Ohm @ 230mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 26µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	1.4 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	41 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	360mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-23-3
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3