IPP023N10N5AKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP023N10N5AKSA1 | IPP023N10N5AKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP023N10N5AKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP023N10N5AKSA1
LIXINC Part #	IPP023N10N5AKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP023N10N5AKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 22 - May 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP023N10N5AKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP023N10N5AKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	120A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 270µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	210 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	15600 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	375W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3
paketti/laukku:	TO-220-3