FDR8305N | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDR8305N

FDR8305N

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDR8305N
LIXINC Part #	FDR8305N
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDR8305N PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 24 - May 28 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDR8305N Tekniset tiedot

Osa numero:	FDR8305N
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.5A
rds päällä (max) @ id, vgs:	22mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	23nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1600pF @ 10V
teho - max:	800mW
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
toimittajan laitepaketti:	SuperSOT™-8