CTLDM303N-M832DS TR | Central Semiconductor CTLDM303N-M832DS TR | CTLDM303N-M832DS TR Inventory, Best Pricing

CTLDM303N-M832DS TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CTLDM303N-M832DS TR
LIXINC Part #	CTLDM303N-M832DS TR
Valmistaja	Central Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CTLDM303N-M832DS TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 17 - Jun 21 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CTLDM303N-M832DS TR Tekniset tiedot

Osa numero:	CTLDM303N-M832DS TR
Brändi:	Central Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Central Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Standard
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3.6A
rds päällä (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 1.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	13nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	590pF @ 10V
teho - max:	1.65W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-TDFN Exposed Pad
toimittajan laitepaketti:	TLM832DS