TH58NVG2S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58NVG2S3HBAI6

TH58NVG2S3HBAI6

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TH58NVG2S3HBAI6
LIXINC Part #	TH58NVG2S3HBAI6
Valmistaja	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TH58NVG2S3HBAI6 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 14 - Jun 18 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TH58NVG2S3HBAI6 Tekniset tiedot

Osa numero:	TH58NVG2S3HBAI6
Brändi:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
muistin tyyppi:	Non-Volatile
muistimuoto:	FLASH
teknologiaa:	FLASH - NAND (SLC)
muistin koko:	4Gb (512M x 8)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	-
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	25ns
kirjautumisaika:	-
jännite - syöttö:	2.7V ~ 3.6V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 85°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	63-BGA
toimittajan laitepaketti:	63-BGA (9x11)