RQA0002DNSTB-E | Renesas Electronics America RQA0002DNSTB-E | RQA0002DNSTB-E Inventory, Best Pricing

RQA0002DNSTB-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RQA0002DNSTB-E
LIXINC Part #	RQA0002DNSTB-E
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RQA0002DNSTB-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 18 - May 22 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RQA0002DNSTB-E Tekniset tiedot

Osa numero:	RQA0002DNSTB-E
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	16 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3.8A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	750mV @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	102 pF @ 0 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	15W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	2-HWSON (5x4)
paketti/laukku:	3-DFN Exposed Pad

Lämpimiä vinkkejä: Täytä alla oleva lomake. Otamme sinuun yhteyttä mahdollisimman pian.

Lixinc tarjoaa sinulle kilpailukykyiset hinnat, katso tarjoukset.

[email protected]

LIXINC

Lähetä viesti

Ota rohkeasti yhteyttä saadaksesi lisätietoja.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015