BUZ31 H3045A | IR (Infineon Technologies) BUZ31 H3045A | BUZ31 H3045A Inventory, Best Pricing

BUZ31 H3045A

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BUZ31 H3045A
LIXINC Part #	BUZ31 H3045A
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BUZ31 H3045A PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 14 - Jun 18 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BUZ31 H3045A Tekniset tiedot

Osa numero:	BUZ31 H3045A
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	14.5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	200mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1120 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	95W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D²PAK (TO-263AB)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB