IPD50N06S214ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPD50N06S214ATMA2 | IPD50N06S214ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD50N06S214ATMA2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPD50N06S214ATMA2
LIXINC Part #	IPD50N06S214ATMA2
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPD50N06S214ATMA2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 03 - Jun 07 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPD50N06S214ATMA2 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPD50N06S214ATMA2
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	55 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	50A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	14.4mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 80µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1485 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	136W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO252-3-11
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FCD620N60ZF	MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK	3465 Lisää tilauksesta
IRFBC30APBF-BE3	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB	1813 Lisää tilauksesta
SQJA72EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8	1853 Lisää tilauksesta
FQD8N25TF	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK	34380 Lisää tilauksesta
NTD4404N1G	N-CHANNEL POWER MOSFET	10254 Lisää tilauksesta
HUF76143S3	MOSFET N-CHANNEL 30V 75A	4879 Lisää tilauksesta
PH3120L,115	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	896 Lisää tilauksesta
2SK3635-Z-E1-AZ	MOSFET N-CH 200V 8A TO252	8800 Lisää tilauksesta
IRF9Z10PBF	MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB	2802 Lisää tilauksesta
CSD16321Q5	MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON	82448 Lisää tilauksesta
NX138BKR	MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB	1058 Lisää tilauksesta
BUZ111SLE3045A	MOSFET N-CH 50V 80A TO263	2930 Lisää tilauksesta
TSM60NB380CP ROG	MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252	3098 Lisää tilauksesta