IPP028N08N3GHKSA1 | Rochester Electronics IPP028N08N3GHKSA1 | IPP028N08N3GHKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP028N08N3GHKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP028N08N3GHKSA1
LIXINC Part #	IPP028N08N3GHKSA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	N-CHANNEL POWER MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP028N08N3GHKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 19 - May 23 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP028N08N3GHKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP028N08N3GHKSA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	*
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	-
teknologiaa:	-
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	-
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	-
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	-
toimittajan laitepaketti:	-
paketti/laukku:	-