IRFP2907PBF | IR (Infineon Technologies) IRFP2907PBF | IRFP2907PBF Inventory, Best Pricing

IRFP2907PBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFP2907PBF
LIXINC Part #	IRFP2907PBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFP2907PBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 30 - Jun 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFP2907PBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFP2907PBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	75 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	209A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 125A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	620 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	13000 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	470W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247AC
paketti/laukku:	TO-247-3