IRLML2030TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRLML2030TRPBF | IRLML2030TRPBF Inventory, Best Pricing

IRLML2030TRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRLML2030TRPBF
LIXINC Part #	IRLML2030TRPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRLML2030TRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 16 - Jun 20 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRLML2030TRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRLML2030TRPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.7A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 25µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	1 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	110 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.3W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Micro3™/SOT-23
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3