IPP041N12N3GXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP041N12N3GXKSA1 | IPP041N12N3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP041N12N3GXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP041N12N3GXKSA1
LIXINC Part #	IPP041N12N3GXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP041N12N3GXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 19 - May 23 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP041N12N3GXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP041N12N3GXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	120 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	120A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 270µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	211 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	13800 pF @ 60 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	300W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3
paketti/laukku:	TO-220-3