BSC014N04LSIATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC014N04LSIATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC014N04LSIATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSC014N04LSIATMA1
LIXINC Part #	BSC014N04LSIATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSC014N04LSIATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 20 - May 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSC014N04LSIATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSC014N04LSIATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	31A (Ta), 100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.45mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4000 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TDSON-8 FL
paketti/laukku:	8-PowerTDFN

FQI50N06LTU	MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK	2682 Lisää tilauksesta
ZVN4206AV	MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3	5939 Lisää tilauksesta
IPN50R2K0CEATMA1	MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223	6461 Lisää tilauksesta
TP86R203NL,LQ	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP	2955 Lisää tilauksesta
DMT3006LFVQ-13	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	860 Lisää tilauksesta
NTMFS4923NET3G	MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN	15932 Lisää tilauksesta
PSMN1R5-25MLHX	MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33	3775 Lisää tilauksesta
SQJA02EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8	966 Lisää tilauksesta
NTD4857N-1G	MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK	9324 Lisää tilauksesta
FQA70N15	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	1078 Lisää tilauksesta
BUK9614-55A,118	TRANSISTOR >30MHZ	6439 Lisää tilauksesta
PMV50UPEVL	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	869 Lisää tilauksesta
IPB80N08S406ATMA1	MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3-2	15341 Lisää tilauksesta