IPP015N04NGXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP015N04NGXKSA1 | IPP015N04NGXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP015N04NGXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP015N04NGXKSA1
LIXINC Part #	IPP015N04NGXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP015N04NGXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 17 - May 21 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP015N04NGXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP015N04NGXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	120A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 200µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	250 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	20000 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	250W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3-1
paketti/laukku:	TO-220-3