BUZ31H3046XKSA1 | Rochester Electronics BUZ31H3046XKSA1 | BUZ31H3046XKSA1 Inventory, Best Pricing

BUZ31H3046XKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BUZ31H3046XKSA1
LIXINC Part #	BUZ31H3046XKSA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BUZ31H3046XKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 02 - Jun 06 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BUZ31H3046XKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BUZ31H3046XKSA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	14.5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	200mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.12 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	95W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO262-3-1
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA