BSC010NE2LSIATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC010NE2LSIATMA1 | BSC010NE2LSIATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC010NE2LSIATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSC010NE2LSIATMA1
LIXINC Part #	BSC010NE2LSIATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSC010NE2LSIATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 19 - May 23 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSC010NE2LSIATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSC010NE2LSIATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	38A (Ta), 100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.05mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	59 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4200 pF @ 12 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TDSON-8-7
paketti/laukku:	8-PowerTDFN