IAUT260N10S5N019ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUT260N10S5N019ATMA1 | IAUT260N10S5N019ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUT260N10S5N019ATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IAUT260N10S5N019ATMA1
LIXINC Part #	IAUT260N10S5N019ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IAUT260N10S5N019ATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 11 - May 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IAUT260N10S5N019ATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IAUT260N10S5N019ATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™-5
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	260A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 210µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	166 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	11830 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	300W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-HSOF-8-1
paketti/laukku:	8-PowerSFN