IRFD123 | Rochester Electronics IRFD123 | IRFD123 Inventory, Best Pricing

IRFD123

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFD123
LIXINC Part #	IRFD123
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFD123 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 21 - May 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFD123 Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFD123
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	270mOhm @ 780mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	360 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
paketti/laukku:	4-DIP (0.300", 7.62mm)