FQPF8N80CYDTU | Rochester Electronics FQPF8N80CYDTU | FQPF8N80CYDTU Inventory, Best Pricing

FQPF8N80CYDTU

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FQPF8N80CYDTU
LIXINC Part #	FQPF8N80CYDTU
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FQPF8N80CYDTU PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 02 - Jun 06 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FQPF8N80CYDTU Tekniset tiedot

Osa numero:	FQPF8N80CYDTU
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	*
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	800 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.55Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	45 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2.05 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	59W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220F-3 (Y-Forming)
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads