NTMFS4H02NFT1G | Rochester Electronics NTMFS4H02NFT1G | NTMFS4H02NFT1G Inventory, Best Pricing

NTMFS4H02NFT1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTMFS4H02NFT1G
LIXINC Part #	NTMFS4H02NFT1G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTMFS4H02NFT1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 13 - Jun 17 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTMFS4H02NFT1G Tekniset tiedot

Osa numero:	NTMFS4H02NFT1G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	37A (Ta), 193A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	40.9 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2.652 pF @ 12 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.13W (Ta), 83W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN