TP65H480G4JSG-TR | Transphorm TP65H480G4JSG-TR | TP65H480G4JSG-TR Inventory, Best Pricing

TP65H480G4JSG-TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TP65H480G4JSG-TR
LIXINC Part #	TP65H480G4JSG-TR
Valmistaja	Transphorm
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TP65H480G4JSG-TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 14 - Jun 18 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TP65H480G4JSG-TR Tekniset tiedot

Osa numero:	TP65H480G4JSG-TR
Brändi:	Transphorm
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Transphorm
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	GaNFET (Gallium Nitride)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3.6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	8V
rds päällä (max) @ id, vgs:	560mOhm @ 3.4A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 500µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8 V @ 8 nC
vgs (max):	±18V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	400 V @ 760 pF
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	13.2W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	3-PQFN (5x6)
paketti/laukku:	3-SMD, Flat Lead