IPP020N06NAKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP020N06NAKSA1 | IPP020N06NAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP020N06NAKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP020N06NAKSA1
LIXINC Part #	IPP020N06NAKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP020N06NAKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 20 - May 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP020N06NAKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP020N06NAKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	29A (Ta), 120A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 143µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	106 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	7800 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3W (Ta), 214W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3
paketti/laukku:	TO-220-3

IPB080N06N G	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3	961 Lisää tilauksesta
AON7240	MOSFET N-CH 40V 19A/40A 8DFN	912 Lisää tilauksesta
FDD5810-F085	MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK	867 Lisää tilauksesta
AOD5T40P	MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252	1556 Lisää tilauksesta
HUFA75309T3ST	MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4	35387 Lisää tilauksesta
FDS86106	MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC	139078341 Lisää tilauksesta
SI3460DDV-T1-GE3	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP	3574 Lisää tilauksesta
AUIRF5210STRL	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK	864 Lisää tilauksesta
NCV8440ASTT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	1584 Lisää tilauksesta
FQPF8N80C	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F	1142 Lisää tilauksesta
DMG3407SSN-7	MOSFET P-CH 30V 4A SC59	909 Lisää tilauksesta
BSS670S2LH6433XTMA1	MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23	845 Lisää tilauksesta
SIHH20N50E-T1-GE3	MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8	3753 Lisää tilauksesta