CSD17581Q3AT | Texas Instruments CSD17581Q3AT | CSD17581Q3AT Inventory, Best Pricing

CSD17581Q3AT

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CSD17581Q3AT
LIXINC Part #	CSD17581Q3AT
Valmistaja	Texas Instruments
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CSD17581Q3AT PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 15 - Jun 19 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CSD17581Q3AT Tekniset tiedot

Osa numero:	CSD17581Q3AT
Brändi:	Texas Instruments
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Texas Instruments
sarja:	NexFET™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	60A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.7V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	54 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3640 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.8W (Ta), 63W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-VSONP (3x3.15)
paketti/laukku:	8-PowerVDFN