BSO615NGHUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSO615NGHUMA1 | BSO615NGHUMA1 Inventory, Best Pricing

BSO615NGHUMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSO615NGHUMA1
LIXINC Part #	BSO615NGHUMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSO615NGHUMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 20 - May 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSO615NGHUMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSO615NGHUMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.6A
rds päällä (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 20µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	380pF @ 25V
teho - max:	2W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
toimittajan laitepaketti:	PG-DSO-8