EPC2105ENGRT | EPC EPC2105ENGRT | EPC2105ENGRT Inventory, Best Pricing

EPC2105ENGRT

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	EPC2105ENGRT
LIXINC Part #	EPC2105ENGRT
Valmistaja	EPC
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	EPC2105ENGRT PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 21 - May 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

EPC2105ENGRT Tekniset tiedot

Osa numero:	EPC2105ENGRT
Brändi:	EPC
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	EPC
sarja:	eGaN®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Discontinued at Digi-Key
fet tyyppi:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-ominaisuus:	GaNFET (Gallium Nitride)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	9.5A
rds päällä (max) @ id, vgs:	14.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 2.5mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	2.5nC @ 5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	300pF @ 40V
teho - max:	-
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	Die
toimittajan laitepaketti:	Die