FDP2710_F085 | Rochester Electronics FDP2710_F085 | FDP2710

FDP2710_F085

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDP2710_F085
LIXINC Part #	FDP2710_F085
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDP2710_F085 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 04 - Jun 08 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDP2710_F085 Tekniset tiedot

Osa numero:	FDP2710_F085
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	*
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	-
fet-ominaisuus:	-
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	-
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
teho - max:	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	-
paketti/laukku:	-
toimittajan laitepaketti:	-

FDMC9430L-F085	MOSFET 2 N-CHANNEL 40V 12A 8MLP	985 Lisää tilauksesta
IRF9395MTRPBF	DIRECTFET DUAL P-CHANNEL POWER M	154865 Lisää tilauksesta
PMDXB600UNELZ	20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF	992 Lisää tilauksesta
IRF7341PBF	HEXFET POWER MOSFET	849 Lisää tilauksesta
NTMFD4C87NT1G	POWER, N-CHANNEL, MOSFET	11361 Lisää tilauksesta
ICL7667MJA	BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI	3920 Lisää tilauksesta
BUK9K22-80EX	MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D	2436 Lisää tilauksesta
ALD1116PAL	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP	1203 Lisää tilauksesta
DMP2075UFDB-13	MOSFET P-CH 20V 6UDFN	879 Lisää tilauksesta
SSM6N35FE,LM	MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6	2429 Lisää tilauksesta
SI4946BEY-T1-GE3	MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC	1316 Lisää tilauksesta
US6J11TR	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6	1488 Lisää tilauksesta
FD6M043N08	N-CHANNEL POWER MOSFET	2379 Lisää tilauksesta