BSG0811NDATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSG0811NDATMA1 | BSG0811NDATMA1 Inventory, Best Pricing

BSG0811NDATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSG0811NDATMA1
LIXINC Part #	BSG0811NDATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSG0811NDATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 16 - Jun 20 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSG0811NDATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSG0811NDATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	19A, 41A
rds päällä (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8.4nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1100pF @ 12V
teho - max:	2.5W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-PowerTDFN
toimittajan laitepaketti:	PG-TISON-8