NVMFD5C650NLT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVMFD5C650NLT1G
LIXINC Part #	NVMFD5C650NLT1G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVMFD5C650NLT1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 21 - May 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVMFD5C650NLT1G Tekniset tiedot

Osa numero:	NVMFD5C650NLT1G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Standard
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	21A (Ta), 111A (Tc)
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 98µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2546pF @ 25V
teho - max:	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-PowerTDFN
toimittajan laitepaketti:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)