MJD122T4G | Rochester Electronics MJD122T4G | MJD122T4G Inventory, Best Pricing

MJD122T4G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MJD122T4G
LIXINC Part #	MJD122T4G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Kuvaus	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MJD122T4G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 14 - Jun 18 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MJD122T4G Tekniset tiedot

Osa numero:	MJD122T4G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	NPN - Darlington
virta - kollektori (ic) (max):	8 A
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	100 V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	4V @ 80mA, 8A
virta - kollektorin katkaisu (max):	10µA
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 4A, 4V
teho - max:	1.75 W
taajuus - siirtymä:	4MHz
Käyttölämpötila:	-65°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
toimittajan laitepaketti:	DPAK