RN2101,LF(CT | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2101,LF(CT

RN2101,LF(CT

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RN2101,LF(CT
LIXINC Part #	RN2101,LF(CT
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Kuvaus	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RN2101,LF(CT PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	May 11 - May 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RN2101,LF(CT Tekniset tiedot

Osa numero:	RN2101,LF(CT
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	PNP - Pre-Biased
virta - kollektori (ic) (max):	100 mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	50 V
vastus - kanta (r1):	4.7 kOhms
vastus - emitterikanta (r2):	4.7 kOhms
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 10mA, 5V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	500nA
taajuus - siirtymä:	200 MHz
teho - max:	100 mW
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SC-75, SOT-416
toimittajan laitepaketti:	SSM